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HJ393A/B/C耐高溫SiC-MOSFET/IGBT隔離式驅動器
HJ393A/B/C是耐高溫SiC-MOSFET/IGBT隔離式驅動器，內含DC/DC驅動、變壓器、整流濾波、高速數字隔離和柵驅動器，實現(xiàn)單電源+5V供電。該電路內部產生隔離的VCC（+13V～+20 V）正電源電壓和VEE（-3V～-6V）負電源電壓。根據輸入PWM信號頻率的不同，分為A、B、C三擋。
HJ393A能將最大800KHz占空比為0-100%的TTL /CMOS電平PWM信號轉換成隔離的VCC到VEE的驅動信號；
HJ393B能將最大800KHz占空比為0-100%的TTL /CMOS電平PWM信號轉換成隔離的VCC到VEE的驅動信號；
HJ393C能將最大1MHz占空比為0-100%的TTL /CMOS電平PWM信號轉換成隔離的VCC到VEE的驅動信號。
由于超寬的禁帶能級，使得用SiC材質制作的NMOS管的正向跨導比傳統(tǒng)的Si材質的小，故為了達到額定的ID電流，那么需要的柵源電壓要大一些。另外，為了保證在Tj≥250℃下MOS管能夠可靠關斷，以及減小SiC-MOSFET的密勒效應，保證高溫下輸入低電平的噪聲容限，SiC MOS管需要一個負偏壓關斷，這點類似于IGBT管。該器件可滿足SiC-MOS管/IGBT管柵極驅動的要求，確保SiC-MOS管/IGBT管的可靠導通和關斷。其最大瞬態(tài)峰值驅動電流為4A，且具有較高的隔離度和抗擾度，確保在高頻PWM信號和高電壓的情況下電路可靠工作。
所屬分類: MOSFET驅動
產品概述
主要特點有：
自帶DC/DC隔離電源，系統(tǒng)只需要提供數字5V即可1800VDC峰值隔離
高共模瞬變抑制：CMTI≥50KV/μS最高工作溫度可達200℃
能實現(xiàn)IGBT管/SiC-MOS管的負電壓關斷輸入輸出信號隔離
充放電時間快，延遲時間短：（tr、tf≤50nS）0-100%占空比應用,適合高壓大功率開關應用
最高工作頻率HJ393A:500KHz;HJ393B:800KHz;HJ393C:1MHz
瞬態(tài)峰值驅動電流HJ393A：±9A;HJ393B：-2.5A/+5A;J393C:±1.5A
關鍵詞:
igbt
隔離
hj393b
hj393a
應用
峰值
最高
dc
充放電
頻率
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