HJ8736EW
HJ8736 N溝道MOSFET
HJ8736具有導(dǎo)通電阻低、電流能力強(qiáng)特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用移動設(shè)備的電源管理器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)驅(qū)動、電池供電系統(tǒng)等環(huán)境中。
所屬分類: NMOSFET管
產(chǎn)品概述
產(chǎn)品特點(diǎn)有:
漏源電壓 VDDS 30V
連續(xù)電流 ID 18A
極低的導(dǎo)通電阻 RDS(ON)4.8mΩ
耗散功率 2.5W
采用CSOP08B表貼全密封外殼封裝
關(guān)鍵詞:
驅(qū)動
封裝
形式
rds
功率
2.5w
vdds
引出
采用
外殼
上一個(gè)
HJ540 NMOSFET晶體管
下一個(gè)
無
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299號3號樓9層
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趙先生(技術(shù)):13572473285
固話:029-89259995
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