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HJ1200-080 HJ1200-080

HJ1200-080 Sic MOSFET

HJ1200-080Sic MOSFET是采用Sic工藝實現(xiàn)的一款耐高溫功率器件。Sic是一種先進的半導(dǎo)體的材質(zhì)，它具有類似于金剛石的硬度、數(shù)倍于Si材質(zhì)的禁帶寬度。載流子遷移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率以及耐高溫特性均遠優(yōu)于傳統(tǒng)硅材質(zhì)。用Sic材質(zhì)制作的NMOS管在高溫、高壓、高頻、大功率、抗輻射、微波等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在石油探測領(lǐng)域主要用于電機驅(qū)動、高溫BUCK型DC//DC電源、高頻發(fā)射等方面。 由于超寬的禁帶能級，使得用Sic材質(zhì)制作的NMOS管的正向跨導(dǎo)比傳統(tǒng)的Si材質(zhì)的小，故為了達到額定的ID電流，那么需要的柵源電壓要大一些。另外，為了保證在Tj≥250℃下MOS管能夠可靠關(guān)斷，保證高溫下輸入低電平的噪聲容限，Sic MOS管需要一個負偏壓關(guān)斷，這點類似于IGBT管。HJ1200-080的可靠導(dǎo)通范圍18V≤VGS≤25V，可靠關(guān)斷范圍-10V≤VGS≤-2V。它采用有熱沉塊的TO-258金屬全密封外殼封裝，三個引出端和外殼(散熱器)分別相互絕緣，使用方便。

所屬分類: NMOSFET管



產(chǎn)品概述

　　產(chǎn)品特點有：

　　輸入電容小，可實現(xiàn)高速開關(guān)耐壓高（≥1200V）

　　導(dǎo)通電阻?。≧ON≤80mΩ）輸出電流大（≥35A，∞散熱器）

　　可直接并聯(lián)使用無閂鎖效應(yīng)

　　柵源擊穿電壓高Tj≥200℃

 

關(guān)鍵詞:
hj1200-080
電流
輸入
使用
閂鎖效應(yīng)
其主要
電阻
可直接
電容
特點


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HJ1200-080 Sic MOSFET

HJ1200-080Sic MOSFET是采用Sic工藝實現(xiàn)的一款耐高溫功率器件。Sic是一種先進的半導(dǎo)體的材質(zhì)，它具有類似于金剛石的硬度、數(shù)倍于Si材質(zhì)的禁帶寬度。載流子遷移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率以及耐高溫特性均遠優(yōu)于傳統(tǒng)硅材質(zhì)。用Sic材質(zhì)制作的NMOS管在高溫、高壓、高頻、大功率、抗輻射、微波等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在石油探測領(lǐng)域主要用于電機驅(qū)動、高溫BUCK型DC//DC電源、高頻發(fā)射等方面。 由于超寬的禁帶能級，使得用Sic材質(zhì)制作的NMOS管的正向跨導(dǎo)比傳統(tǒng)的Si材質(zhì)的小，故為了達到額定的ID電流，那么需要的柵源電壓要大一些。另外，為了保證在Tj≥250℃下MOS管能夠可靠關(guān)斷，保證高溫下輸入低電平的噪聲容限，Sic MOS管需要一個負偏壓關(guān)斷，這點類似于IGBT管。HJ1200-080的可靠導(dǎo)通范圍18V≤VGS≤25V，可靠關(guān)斷范圍-10V≤VGS≤-2V。它采用有熱沉塊的TO-258金屬全密封外殼封裝，三個引出端和外殼(散熱器)分別相互絕緣，使用方便。
零售價
0.0
元
市場價
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1000
產(chǎn)品編號
所屬分類
NMOSFET管
型號:
HJ1200-080
驅(qū)動持續(xù)電流(IC/A):
25
擊穿電壓(VCEO/V):
1200
工作溫度 （TA）:
-55～+125
關(guān)鍵參數(shù):
Ron:80mΩ
封裝 （Package）:
TO-258
產(chǎn)品概述:

HJ1200-080Sic MOSFET是采用Sic工藝實現(xiàn)的一款耐高溫功率器件。

數(shù)量
-
+
庫存:
0
關(guān)鍵詞:
hj1200-080
電流
輸入
使用
閂鎖效應(yīng)
其主要
電阻
可直接
電容
特點
1
產(chǎn)品描述
參數(shù)

　　產(chǎn)品特點有：

　　輸入電容小，可實現(xiàn)高速開關(guān)耐壓高（≥1200V）

　　導(dǎo)通電阻?。≧ON≤80mΩ）輸出電流大（≥35A，∞散熱器）

　　可直接并聯(lián)使用無閂鎖效應(yīng)

　　柵源擊穿電壓高Tj≥200℃

 

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HJ1200-080 Sic MOSFET
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